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[发明专利]晶片的加工方法-CN201710228155.4有效
发明人：裵泰羽 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2017-04-10 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：关于晶片的加工方法，在第1改质层形成工序中或在第2改质层形成工序中，或者在第1改质层形成工序和第2改质层形成工序这两个工序中，形成于晶片(W)的内部的改质层(M)按照每1条分割预定线由至少1个以上的诱导改质层(Mi)和至少1个以上的调整改质层(Ma)复合地形成，该诱导改质层对从改质层到晶片的正面(Wa)的裂纹的成长进行诱导，该调整改质层用于对从改质层到晶片的正面的裂纹的成长进行调整，所以能够通过诱导改质层将从改质层产生的裂纹诱导至晶片的正面侧，并且通过调整改质层对到达正面的裂纹的成长情况进行调整，因此能够将晶片良好地分割成各个器件。
晶片加工方法

[发明专利]晶片的加工方法-CN201811404214.X有效
发明人：植木笃 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2018-11-23 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：该晶片的加工方法包含如下的步骤：改质层形成步骤，在晶片的内部形成沿着分割预定线的改质层；以及分割步骤，对晶片赋予力而以改质层为起点沿着分割预定线对晶片进行分割，改质层形成步骤包含：往路改质层形成步骤；返路改质层形成步骤；以及相移掩模反转步骤，在往路改质层形成步骤之后且在返路改质层形成步骤之前，或者在返路改质层形成步骤之后且在往路改质层形成步骤之前，使该相移掩模反转，以使得向晶片照射的该激光束的相位的分布在X轴方向上反转
晶片加工方法

[发明专利]一种线路板制作方法、系统、装置及设备-CN202310735530.X在审
发明人：张立国 -专利权人：武汉铱科赛科技有限公司
申请日： 2023-06-19 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H05K3/06 文献下载
摘要：本发明涉及线路板图形制作技术领域，具体涉及一种线路板制作方法、系统、装置及设备，其方法包括，利用改质激光束按照线路板线路图档对导电金属层待改质区域的导电金属进行改质扫描形成改质区，未经改质激光束改质扫描区域形成与绝缘层无分层的非改质区；利用化学刻蚀溶液对经过改质扫描后的导电金属层进行化学刻蚀，改质区的刻蚀速度大于非改质区的刻蚀速度，当改质区的导电金属被刻蚀完毕并露出绝缘层时停止刻蚀，以使非改质区未被刻蚀的导电金属形成线路图形。本发明对导电金属层采用了激光改质扫描获得化学蚀刻速率不一样的金相，再结合化学刻蚀实现线路板的制作，解决了超精细线路板和超厚面铜的线路制作的行业痛点问题。
一种线路板制作方法系统装置设备

[发明专利]一种碳化硅晶锭的激光切片方法及其装置-CN202211322497.X在审
发明人：张喆;侯煜;文志东;李曼;张昆鹏;石海燕;宋琦;许子业;薛美;张紫辰 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2022-10-26 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： B23K26/38 文献下载
摘要：本发明提供了一种碳化硅晶锭的激光切片方法及其装置，该激光切片方法先将超短脉冲激光光束聚焦在碳化硅晶锭的设定深度层，在设定深度层上方分别产生空洞改质形成区域和裂纹改质形成区域，并扫描形成空洞改质层和裂纹改质层再将短脉冲激光光束的焦点向设定深度层之上移动一定范围，使短脉冲激光光束透过裂纹改质形成区域后聚焦在空洞改质形成区域散射传播，使裂纹改质形成区域内的裂纹横向向外生长，并扫描以使空洞改质层中任意相邻的空洞改质形成区域内的裂纹通过横向生长连接在一起减少改质层内的裂纹沿碳化硅晶锭纵向扩展的量和长度，增加横向裂纹生长的数量和裂纹生长长度，减少切割损耗厚度，减少浪费。
一种碳化硅激光切片方法及其装置

[发明专利]切片方法及切片装置-CN201910097785.1在审
发明人：北村嘉朗;藤原和树;住本胜儿;大森健志 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2019-01-31 - 公布日： 2019-08-09 - 主分类号： B23K26/082 文献下载
摘要：本发明涉及一种切片方法及切片装置，其能够抑制在被加工材料的内部形成改质层后，在以改质层为边界分离被加工材料时产生的不良情况。分离装置(200)具有：通过在低于被加工材料(1)的熔点且由激光聚光而形成的被加工材料(1)的改质层(8)的熔点以上的温度下加热改质层(8)，使改质层(8)熔融的加热装置(12)；以及以熔融了的改质层(
被加工材料改质层熔点切片装置切片熔融分离夹具分离装置激光聚光加热改质加热装置

[发明专利]一种激光剥离碳化硅晶锭的方法及装置-CN202211322500.8在审
发明人：侯煜;李曼;张喆;石海燕;张昆鹏;文志东;张紫辰 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2022-10-26 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： B23K26/38 文献下载
摘要：本发明提供了一种激光剥离碳化硅晶锭的方法及装置，该方法先将超短脉冲激光光束透过碳化硅晶锭的第一端面后聚焦在碳化硅晶锭的设定深度层，在设定深度层的上方分别产生空洞改质形成区域和裂纹改质形成区域，并扫描形成空洞改质层和裂纹改质层再将短脉冲激光光束透过碳化硅晶锭的第二端面后聚焦在空洞改质形成区域，在空洞改质形成区域散射传播，使短脉冲激光光束的热量作用于空洞改质形成区域，使裂纹改质形成区域内的裂纹横向向外生长，并扫描使空洞改质层中相邻的空洞改质形成区域内的裂纹通过横向生长连接在一起减少改质层内的裂纹沿碳化硅晶锭纵向扩展的量和长度，增加横向裂纹生长的数量和裂纹生长长度，减少切割损耗厚度，减少浪费。
一种激光剥离碳化硅方法装置

[发明专利]利用改质石墨烯收集金属的方法以及装置-CN201910624334.9在审
发明人：许昌隆;林品均 -专利权人：宣城亨旺新材料有限公司
申请日： 2019-07-11 - 公布日： 2021-01-12 - 主分类号： C02F1/28 文献下载
摘要：本发明涉及石墨烯材料的应用领域，特别是关于利用改质石墨烯收集金属的方法以及装置。利用改质石墨烯收集金属的方法，包含：(a)制备一改质石墨烯；(b)设置过滤吸附层：过滤吸附层包括改质石墨烯；(c)输入废水：废水经过过滤吸附层；(d)过滤吸附：过滤吸附层的改质石墨烯的硫吸附废水中的金属，而废水中的液态分子及杂质经过改质石墨烯的孔隙排出过滤吸附层；以及(e)分离金属：加热吸附有金属的过滤吸附层至350‑550℃之间，使过滤吸附层中的改质石墨烯沸腾挥发，留下金属。本发明更包括一种利用改质石墨烯收集金属的装置；藉由该方法以及该装置，可以有效吸附并回收废水中的金属。
利用石墨收集金属方法以及装置

[发明专利]一种晶圆的剥离方法及剥离装置-CN202010860508.4在审
发明人：王宏建;赵卫;何自坚;陈湘文;朱建海 -专利权人：松山湖材料实验室
申请日： 2020-08-24 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：其包括：先在晶锭的目标聚焦面上形成多个间隔分布的第一改质层，然后在目标聚焦面上形成第二改质层，第二改质层的数量为一个或多个，第二改质层与第一改质层交替布置且互相连接以共同形成连续的第三改质层，第三改质层沿目标聚焦面贯穿晶锭；以第三改质层作为剥离界面，将作为目标晶圆的部分自晶锭剥离，获得晶圆。上述方法相比于现有的通过激光束一次性直接形成连续的第三改质层方式，可有效减小因激光束连续作用而导致的局部区域热量集中，大幅降低激光加工过程中产生的不利热影响，提高晶圆的剥离质量。
一种剥离方法装置

[发明专利]晶片的加工方法-CN202110306965.3在审
发明人：谭思博 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2021-03-23 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： H01L21/268 文献下载
摘要：该方法包含如下工序：保护部件配设工序，将保护部件(14)配设于晶片的正面(2a)；环状改质层形成工序，沿着外周剩余区域形成第一环状改质层(24)和第二环状改质层(26)；分割预定线改质层形成工序，沿着分割预定线形成分割预定线改质层(28)；和分割工序，对晶片的背面(2b)进行磨削而将晶片形成为规定的厚度，通过从分割预定线改质层沿分割预定线延伸的裂纹(28′)将晶片分割成各个器件芯片。在分割预定线改质层形成工序中，按照分割预定线改质层的始点(28a)和终点(28b)位于第一、第二环状改质层之间的方式定位激光光线的聚光点。
晶片加工方法

[发明专利]改质聚四氟乙烯颗粒、其制备方法及组合物-CN201810901409.9在审
发明人：梁国盛;林弘萍 -专利权人：臻鼎科技股份有限公司
申请日： 2018-08-09 - 公布日： 2020-02-21 - 主分类号： C08J3/12 文献下载
摘要：一种改质聚四氟乙烯颗粒，所述改质聚四氟乙烯颗粒为核壳结构，所述改质聚四氟乙烯颗粒包括一核心层、一包覆所述核心层的壳体层以及一接枝在所述壳体层的外表面上的改质剂层，所述核心层为聚四氟乙烯颗粒，所述壳体层为二氧化硅，所述改质剂为硅烷偶联剂。本发明还涉及一种改质聚四氟乙烯颗粒的制备方法及包含所述改质聚四氟乙烯颗粒的组合物。
聚四氟乙烯颗粒制备方法组合

[发明专利]具硅胶黏合层的电路板结构-CN201911114689.X有效
发明人：杨思枬 -专利权人：辉能科技股份有限公司;辉能控股股份有限公司
申请日： 2019-11-14 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： H05K1/03 文献下载
摘要：本发明为一种软性电路板，包含有非金属的基板、接触于基板且具有固化的第一硅胶材料的第一改质硅胶固化层、具有至少一金属的金属层、接触于金属且具有固化的第二硅胶材料的第二改质硅胶固化层、以及设置且接触于第一改质硅胶固化层与第二改质硅胶固化层之间的硅胶黏着层，其包含有黏着硅胶材料可于热熟化后于第一改质硅胶固化层与第二改质硅胶固化层间固化形成层状结构，固化后的改质硅胶涂布基板与金属层可增加黏着效果、降低分层脱离的问题。
硅胶黏合层电路板结构

[发明专利]晶圆激光改质结构、方法及系统-CN202210983213.5在审
发明人：李静;刘旭冉;汪杰;陈远 -专利权人：宁波舜宇奥来技术有限公司
申请日： 2022-08-16 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： B23K26/53 文献下载
摘要：本发明的一种晶圆激光改质结构、方法及系统，在晶圆样品内部进行多层改质，形成多层晶圆改质层与多层第一留白层的重复结构，控制晶圆改质层激光热影响域范围，降低了临近晶圆改质层之间的热影响区域的互相叠加，使晶圆改质层产生的热裂纹都被局域限制在第一留白层内，减少了隐形改质在材料内部的隐形损伤区域及裂纹受附近热源影响造成不受控拓展可能性，避免了热裂纹纵向‑横向拓展造成弯曲强度降低、崩边等问题，即保证了隐切的改质属性，又能保证外观、理化性质，使样品强度显著提升
激光结构方法系统

[发明专利]晶片的分割方法-CN201210316434.3在审
发明人：荒井一尚 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2012-08-30 - 公布日： 2013-03-13 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明提供晶片的分割方法，在通过照射激光光线而在晶片的内部形成改质层，以改质层为起点将晶片分割成各个器件时，不使器件的品质和抗折强度下降。将相对于晶片（W）具有透过性的波长的激光光线（31a）会聚到分割预定线（L）的内部来形成从晶片（W）的表面侧到背面侧的改质层（R2），将蚀刻气体或蚀刻液供给到晶片（W），使改质层（R2）侵蚀而将晶片（W通过蚀刻使改质层侵蚀，从而由于改质层不会粉碎，因此能够不产生细粉末来分割成器件，由于不会使细粉末附着在器件的表面而使器件的品质下降，并且通过蚀刻来去除改质层，因此能够防止由改质层的残留引起的器件的抗折强度的下降
晶片分割方法

[发明专利]晶片的加工方法-CN201710007888.5有效
发明人：中村胜 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2017-01-05 - 公布日： 2021-03-26 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：提供晶片的加工方法，当在晶片的内部沿着分割预定线层叠多层改质层而进行分割时，通过对从初期改质层朝向正面成长的裂纹的方向进行限制，能够对分割面的弯曲行进进行抑制。一种晶片的加工方法，该晶片的加工方法包含如下的工序：初期改质层形成工序，将对于晶片具有透过性的波长的激光光线的聚光点从晶片的背面侧定位在与分割预定线对应的晶片内部的正面附近而沿着分割预定线照射激光光线，沿着分割预定线形成初期改质层；以及次期改质层形成工序，与初期改质层的背面侧相邻地定位激光光线的聚光点而沿着分割预定线进行照射，由此形成用于使裂纹从初期改质层朝向正面成长的次期改质层。
晶片加工方法

[发明专利]晶片的生成方法-CN201710216651.8有效
发明人：平田和也 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2017-04-05 - 公布日： 2020-09-01 - 主分类号： B23K26/53 文献下载
摘要：晶片的生成方法从SiC锭生成晶片，该晶片的生成方法包含第1改质层形成步骤和第2改质层形成步骤。在第1改质层形成步骤中，对锭照射具有第1功率的第1激光束而在锭的第1深度散在地形成第1改质层。在第2改质层形成步骤中，将具有比第1功率大的第2功率的第2激光束定位成使其聚光点位于比第1深度深的位置，进而将第2激光束定位成与第1改质层重叠，对晶片照射第2激光束而在第1深度的位置连续地形成第2改质层和从第2改质层沿着c面延伸的裂痕。
晶片生成方法

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